公司新闻
Vishay推出500V N沟道功率MOSFET
2010/9/15 12:02:30
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2010 年 4 月 6 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款500V N沟道功率MOSFET --- SiHF8N
Vishay今天推出的新MOSFET具有500V电压等级，在10V栅极驱动下的最大导通电阻低至1.0Ω。低RDS(on)意味着低传导损耗，可以在用于LIPS
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2010 年 4 月 6 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款500V N沟道功率MOSFET --- SiHF8N
Vishay今天推出的新MOSFET具有500V电压等级，在10V栅极驱动下的最大导通电阻低至1.0Ω。低RDS(on)意味着低传导损耗，可以在用于LIPS
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