2010 年 4 月8 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款双路12V P沟道TrenchFET^®功率MOSFET --- SiA975DJ。新器件具有迄今为止双路P沟道器件中最低的导通电阻，采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK^® SC-70封装。

 通过推出SiA975DJ，Vishay将其第三代P沟道TrenchFET技术扩展到双路12V功率MOSFET，并且采用了适用于手持式电子设备的超小PowerPAK SC-70封装。新器件可用于游戏机及手机、智能手机、PDA和MP3播放器等便携式设备中的负载、PA和电池开关。对于这些设备，SiA975DJ的更低导通电阻意味着更低的传导损耗，使器件能够用比以往市场上采用超小封装的双路P沟道功率